節(jié)能型功率半導體芯片生產線建設項目概覽

一、項目概況

‌建設單位‌：TCL環(huán)鑫半導體（天津）有限公司，投資金額3.98億元，在現(xiàn)有6英寸功率芯片年產90萬片產能基礎上，新增6英寸FRD、IGBT芯片年產35萬片產能‌23。

‌建設地點‌：天津濱海高新技術產業(yè)開發(fā)區(qū)華苑產業(yè)區(qū)（環(huán)外）海泰東路12號‌36。

‌技術方向‌：聚焦節(jié)能型功率半導體芯片，覆蓋FRD（快恢復二極管）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等產品，適用于新能源、工業(yè)控制等領域‌36。

二、建設內容與節(jié)能措施

‌產線升級‌：保留現(xiàn)有SBD、VDMOS、TMBS、FRD芯片產線，新增IGBT專用設備及工藝，優(yōu)化芯片能效比‌36。

‌節(jié)能設計‌：

選用高能效生產設備，優(yōu)化工藝流程，降低單位產品能耗至行業(yè)先進水平‌48；

建立能源管理體系，配備智能監(jiān)測系統(tǒng)，實現(xiàn)能耗動態(tài)管理‌48。閥門生產廠家